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本期，芯递方功率器件分享基于东微半导体IGBT的产品介绍，东微半导体采用先进的专利器件结构，来实现IGBT性能的赶超与跨越。适用于大功率逆变器，变频器，储能，光伏。

东微Tri-gate IGBT性能特点

由于创新器件结构，使 Vcesat和Eoff的平衡优化，相同Vcesat下的Eoff 做到业内领先

降低了Qgc 和Qg，使米勒电容降低，提升了器件的开关速度，减小了动态损耗

减小了电流拖尾时间，适合高频工作，超高速版本最高可以达到100 kHz工作频率

降低了Qgc/Qge的比值，减小了栅极震荡，具备宽广的 SOA，支持4倍大电流关断。